中国光刻胶，离日本还有多大差距？

光刻胶，是芯片制造的关键材料。

为了打破国际垄断，中国企业全力攻关，进步确实很大。

但是，与日本，中国光刻胶仍然有很大的差距。

到底差在哪里？

中国企业又该如何突围？

光刻胶，顾名思义，就是光刻机在光刻过程中使用的聚合物薄膜材料，英文直译过来是光致抗蚀剂，能在紫外光、电子束、离子束、X 射线等照射或辐射下，发生聚合或解聚反应，把图案留在硅片上。

我们平常说的光刻胶，其实是一类产品的统称。

按形成的图像来分，有正性和负性两大类。按曝光光源和辐射源的不同就分得更细了，可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、X- 射线胶、电子束胶、离子束胶等。

每类都有前面说的正负性之分，品种规格很多，非常复杂，对应的配方和生产技术也简单不了，但总体上都包括三种成分：感光树脂、增感剂和溶剂。

光刻胶的使用范围相当广，显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形的加工作业都用得到，下游产品从智能手机的处理器到医疗设备的传感器，再到航天器的控制系统 …… 无所不包。

尤其是对于精密制造和小型化设备的生产，光刻胶更是至关重要。

光刻胶是智能装备必不可少的源头精细化工品，其性能直接影响到终端产品的产能和质量。

光刻胶的市场规模基本约等于智能装备的制造能力，它的研发和改进也是半导体技术水平的关键指标。

正是意识到光刻胶的重要性，近二十年来，我国一直非常重视光刻胶行业的发展，积极给予政策支持，力争实现国产化。

早在 " 十二五 " 期间列出的 16 个国家科技重大专项，《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》位列第二，号称 "02 专项 "。

十年过去，"02 专项 " 结出硕果。

2020 年底，南大光电发布公告，称其控股子公司 " 宁波南大光电 " 自主研发的 ArF ( 193nm ) 光刻胶产品成功通过客户的使用认证，" 本次认证选择客户 50nm 闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的 ArF 光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。"

超高精细光刻胶项目在 2018 年 5 月通过了 02 专项验收，2019 年底，以研发团队为技术骨干的国科天骥公司在滨州成立，进行高档光刻胶及其相关有机湿电子化学品的小批量生产。

2021 年，国科天骥在滨州生产园区试生产高档光刻胶。

新闻报道

徐州博康已成功开发 ArF/KrF 单体及光刻胶、I 线光刻胶、封装光刻胶、电子束光刻胶等系列产品。

最近，武汉太紫微光电科技有限公司推出的 T150 A 光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计。

目前，国内已有数十家企业涉足光刻胶领域，在短短几年内提高了光刻胶的国产化率，市场产值也快速增长。

比如，PCB 光刻胶，国产率达到了 63%，湿膜及阻焊油墨基本能实现自给；

LCD 光刻胶领域，触控屏光刻胶正逐步实现国产化替代，目前国产率能到三到四成。

光刻胶国产化，进步确实很大。

看到进步，更要看到差距。

从规模上看，2023 年国内光刻胶市场规模约为 121 亿元，预计未来 5 年均复合增长率 10%，增长率超过全球平均水平，但规模占比在全球不到两成。

从类别看，我国光刻胶在高端领域国产化率极低。像是 7nm 技术所需的最高端的 EUV 光刻胶，国产化率乐观估计也不足 1%。

对比日本，差距尤为突出。

全球五大光刻胶生产商中，日企独占四家，JSR、东京应化、信越化学及富士胶片拿下全球超 70% 的光刻胶市场。

特别是在最高端的 ArF 和 EUV 领域，日企市场占有率超过 90%！

不仅是市场份额，日企在光刻胶领域的专利申请量和技术水平在全世界也是遥遥领先。

根据 2021 年 9 月，日本光刻胶专利申请量占全球该领域专利数量的 46%，一家独大，排名第二的是美国，占 25%。

中国则仅以 7% 的占比，排在韩国之后，排名全球第四。

2023 年，全球共有 5483 件光刻胶专利，日本独占 63%。

应该说，在光刻胶领域，中国企业与日企的差距是全方位的。

那么，日本的光刻胶企业为什么这么强？

网上有很多文章解答过，大多是从起步较早、政府支持、人才培养等角度分析。

这里，正解局不再面面俱到，而是提供一个观察的视角：

壁垒。

简单来说，日本光刻胶企业先建立了技术壁垒，再建立了行业壁垒，最后建立了产业壁垒。

先看技术壁垒。

早 1960 年代，日本就组织技术攻关，实现了光刻胶的知识产权自有——东京应化（TOK）于 1968 年研发出首个环化橡胶系光刻胶产品 MOR-81。

到 1970 年代，日本光刻胶已陆续完成商业化，几大巨头掌握核心技术。

1990 年代开始，继续突破高端技术，初步构建技术壁垒。

再看行业壁垒。

日本企业背后，大多有财团的影子。

化工领域更是日本财团重点布局的行业。财团之间，关系复杂，并非是完全的竞争关系。

表面看上去，日本几大光刻胶龙头企业各自独立。实际上，在不同细分领域侧重不同，抱团合作，形成行业壁垒。

最后看产业壁垒。

光刻胶是关键行业的关键材料，一旦使用，轻易不会更换。

日本光刻胶企业在晶圆生产的初期就介入进来，联合研发，开发出适配于晶圆厂专门要求的光刻胶。

后续实现生产，光刻胶跟晶圆厂的光刻机和生产条件高度匹配，专品专用，不可替代。

这样一来，除非有巨大的不可抗力，晶圆厂不想也不敢换掉日本企业的光刻胶。

日本光刻胶企业与下游晶圆厂深度合作，嵌入其全产业生态中，构建起牢不可破的产业壁垒，让自己的霸主地位极为稳固。

中国想要在光刻胶领域掌握主动，打破垄断，要走的路还很远。

首先还是要加大研发攻关，掌握核心技术。

光刻胶本身复杂产线的行业性质，为打破垄断，缩短与日企的差距，我国企业的研发是多向发力，多点开花。

最高端的 EUV 光刻胶主要有两种类型，一种是化学放大型（CAR），另一种是金属氧化物。

今年 4 月，湖北九峰山实验室与华中科技大学的联合研究团队成功突破了 " 双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶 " 技术。

这种光刻胶能在曝光后产生更多酸，从而提高成像质量，减小线宽粗糙度，以更高灵敏度和分辨率来适应更先进更复杂的集成电路制造工艺。

在新型光刻胶的研发领域，我国科研团队也在攻关。

目前最顶级的 EUV 光刻机中，光刻胶的技术难度之一就是普遍对光源的敏感度不足，这不仅制约了产量，也推高了光刻机及其配套光源的制造难度和成本。

去年 10 月，我国清华大学与浙江大学的联合团队全球首次提出了 " 点击光刻 " 新方法，并成功开发出与之匹配的超高感光度光刻胶样品。

这种新型的光刻胶材料，能在极低曝光剂量下实现高对比度成像，大大降低了光刻曝光剂量，提高光刻效率。

其次，光刻胶技术尽快产业化。

光刻胶行不行，技术突破只是一个方面，不能只看专利和论文，最终还是要看落地到产业的情况。

除了前面提到的南大光电和国科天骥等企业之外，中国的光刻胶企业还有不少。在 A 股，目前有约 20 只光刻胶相关的股票，代表着中国光刻胶领域的中坚力量。

上市公司彤程新材号称是中国唯一掌握高档光刻胶研发技术的企业，大陆唯一一台 ASML 曝光机也在该公司。

在半导体光刻胶领域，彤程新材的产品线很全，G 线、I 线、KrF、ArF 和 EUV 等五大类光刻胶都有。

G 线光刻胶市场，该公司占据份额较大，I 线光刻胶的技术实力已经接近国际领先水平，KrF 光刻胶已经实现自主研发，主要供给国内下游厂商。比较高端的 ArF 和 EUV 正在试量产中。

最后，要建立光刻胶的产业生态。

除了技术突破和产业化，分析日本的经验可知，更重要的形成自己的产业生态体系——一定要与下游企业深度合作。

说得直接点，就是要有自己的光刻机。

就像大飞机产业链，只有中国自己能造大飞机，能卖大飞机，国产的大飞机零部件才有用武之地，相关的上游产业才能蓬勃发展。

否则，仅有技术是没用的，只能白白拿着技术，转化不出来，慢慢过时落伍被淘汰。

造出自己的光刻机，恰恰是最难的。

全球光刻机行业里，几乎是美日企业的天下。荷兰阿斯麦 ASML 供给了全球 92% 的高端光刻机。

目前，我国光刻机的国产化率不足 3%，2023 年进口光刻机数量高达 225 台，进口金额高达 87.54 亿美元，进口金额创下历史新高。

以产品来说，仅有上海微电子能制造 90nm 工艺节点 DUV 光刻机，与 ASML 差距极大。

难度再大，也要上。

换个角度看，国产光刻胶的发展，绝不能单打独斗，需要产业链整体突破。

对光刻胶和半导体行业，我们要有信心，更要有耐心。

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